Partes granitae late in apparatu semiconductoris utuntur propter altam firmitatem et durabilitatem.Curae sunt ut subtilitatem et subtilitatem processus fabricationis semiconductoris servent.Attamen efficacia et commendatio partium lapidis dependet ab signis et specificationibus quae in eorum consilio, fabricatione et institutione conservantur.
Nonnulla signa et specificationes quae adhibendae sunt cum utens granite in instrumento semiconductori;
1. Densitas materialis: Densitas materiae granitis in fabricandis componentium granitis adhibenda debet esse circa 2.65g/cm3.Haec est densitas materiae naturalis lapidis, et constantiam et constantiam in proprietatibus partium granitis efficit.
2. Flatness: Planities una est ex maxime atrox specificationum pro granitis componentibus adhibitis in instrumento semiconductoris.Planitas superficiei granitis infra 0.001 mm/m2.Hoc efficit ut superficies componentis plana sit et plana, quae necessaria est processibus fabricandis semiconductoribus.
3. Superficies Perfice: Finis lapidis superficies debet esse altae qualitatis, cum asperitate superficiei infra 0.4µm.Hoc efficit ut superficies componentis granitis humilem attritionis coefficientem habeat, quae critica est pro leni operatione instrumenti semiconductoris.
4. Expansio coefficiens thermalis: Apparatus semiconductor operatur in diversis temperaturis, et partes granitae debent sustinere ambigua thermarum sine deformatione.Expansio scelerisque coëfficientis granitis adhibita in instrumento semiconductoris infra 2 x 10^-6 /°C debet esse.
5. Tolerantia dimensiva: tolerantia dimensiva pendet pro componentibus granitis faciendis.tolerantia dimensiva partium granitarum intra ± 0.1mm esse debet pro omnibus dimensionibus criticis.
6. Duritia et Resistentia gere: Duritia et resistentia induendi sunt specificationes pro granitis essentialibus in apparatu semiconductoris adhibitae.Granite duritiem habet Mohs Scale 6-7, eamque aptam ad usum in applicationibus instrumentorum semiconductoris facit.
7. Insulatio euismod: Granite componentes in instrumento semiconductoris adhibiti optimum habere debet velit effectum ad impediendam electronicarum partium sensitivarum molestiam.Resistentia electrica sit supra 10^9 Ω/cm.
8. Resistentia chemica: Partes granitae repugnant communibus chemicis adhibitis in processibus semiconductoribus fabricandis, ut acida et alcali.
Demum, signa et specificationes pro granite componentium in instrumento semiconductore adhibito cruciales sunt ut vivacitas et firmitas utriusque componentis et instrumenti adhibeantur. Praedictae normae stricte adhibendae sunt in consilio, fabricatione et institutione. processus ut partes sint maximae qualitatis.His signis et speciebus sequendo, semiconductoris artifices efficere possunt ut eorum apparatus effectus optimae maneant, ducens ad fructibus et lucris augendis.
Post tempus: Mar-20-2024