Partes graniticae late in apparatu semiconductorum propter stabilitatem et diuturnitatem magnam adhibentur. Hae partes praecisionem et accuratam processuum fabricationis semiconductorum conservare debent. Tamen efficacia et fides partium graniticarum a normis et specificationibus pendent quae per designationem, fabricationem et institutionem earum servantur.
Hae sunt quaedam normae et specificationes quibus observandum est cum partibus graniticis in apparatu semiconductorum adhibentur:
1. Densitas Materiae: Densitas materiae graniticae in fabricatione partium graniticarum adhibitae circa 2.65g/cm3 esse debet. Haec est densitas materiae graniticae naturalis, et constantiam et firmitatem proprietatum partium graniticarum praestat.
2. Planities: Planities est una ex gravissimis specificationibus pro componentibus graniticis in apparatu semiconductorum adhibitis. Planities superficiei granitici debet esse infra 0.001 mm/m2. Hoc efficit ut superficies componentis plana et aequa sit, quod essentiale est pro processibus fabricationis semiconductorum.
3. Superficies Polita: Superficies partium graniticarum optimae qualitatis esse debet, asperitate infra 0.4µm. Hoc efficit ut superficies partis graniticae coefficiens frictionis humile sit, quod ad lenem operationem apparatuum semiconductorum necessarium est.
4. Coefficiens Expansionis Thermalis: Apparatus semiconductorius variis temperaturis operatur, et partes graniticae fluctuationes thermales sine deformatione sustinere debent. Coefficiens expansionis thermalis granitici in apparatu semiconductorio adhibiti infra 2 × 10⁻⁶ /°C esse debet.
5. Tolerantia Dimensionalis: Tolerantia dimensionalis maximi momenti est ad functionem partium graniticarum. Tolerantia dimensionalis partium graniticarum intra ±0.1mm pro omnibus dimensionibus criticis esse debet.
6. Duritia et Resistentia ad Detritionem: Duritia et resistentia ad detritionem sunt specificationes essentiales pro partibus graniticis in apparatu semiconductorio adhibitis. Granitum duritiam Scalae Mohs 6-7 habet, quod id materiam aptam reddit ad usum in applicationibus apparatuum semiconductoriorum.
7. Efficacia Insulationis: Partes graniticae in apparatu semiconductorio adhibitae optimam vim insulationis habere debent ne laedantur partes electronicas sensibiles. Resistentia electrica supra 10^9 Ω/cm esse debet.
8. Resistentia Chemica: Partes graniti chemicis communibus in processibus fabricationis semiconductorum adhibitis, ut acidis et alcalibus, resistere debent.
Denique, normae et specificationes partium graniticarum in apparatu semiconductorio adhibitarum necessariae sunt ad diuturnitatem et firmitatem tam partium quam apparatuum in quibus adhibentur curandam. Hae normae supradictae stricte observandae sunt per processus designandi, fabricandi, et instituendi ut partes summae qualitatis sint. His normis et specificationibus secuti, fabri semiconductoriorum curare possunt ut apparatuum suorum efficacitas optima maneat, quod ad auctam productivitatem et lucrum ducit.
Tempus publicationis: Martii XX, MMXXIV